2D晶体管无电容DRAM

20 ns写入速度

该存储单元通过一步转移范德瓦尔斯介质与电极，以超低漏电的MoS2晶体管同时实现高速写入、长时保持与低功耗，为后段集成提供一种无需电容器的紧凑型动态存储器件。

Guo, Jianmiao · Lin, Ziyuan · 车相立 · 王聪 · Wan, Tianqing · Yan, Jianmin · Zhu, Ye · Chai, Yang

ACS Nano 2025

参数信息

写入速度

20 ns

数据保持时间

1000 s

写入能耗

0.2 fJ

存储位数

3 bit

技术优势

写入快

写入速度达到20 ns，满足高速存储需求。

保持久

数据保持时间超过1000 s，适合需要较长保持时间的应用。

超低功耗

每次写入能耗约0.2 fJ，大幅降低动态功耗。

还能存3位

支持3 bit多值存储，提高存储密度。

应用场景

• 嵌入式存储：用作嵌入式存储单元，省去电容，提高面积效率。
• 存内计算：利用3 bit多值存储和低功耗特性，加速存内计算。
• 2D集成：与2D材料平台兼容，实现无损伤转移集成。
• 后道集成：无需电容工艺，更适合后道制程集成。
• 低功耗存储：以0.2 fJ写入能耗，满足低功耗存储需求。