钴氧化物磁岛

35nm 磁岛

在非磁性钴氧化物基体中通过应变构建可切换的磁性纳米岛，实现高密度磁存储。

Chen, Shengru · Rong, Dongke · Shang, Yanxing · Cai, Miming · Xinyan, Li · Qinghua, Zhang · Xu, Shuai · Yue, Xu · Gao, Hanbin · Hong, Haitao · Ting, Cui · Jin, Qiao · 王嘉鸥 · Lin, Gu · 郑强 · Wang, Can · 张金星 · 刘刚钦 · 金奎娟 · 郭尔佳

Advanced Functional Materials 2023

参数信息

磁性纳米岛最小直径

35 nm

面密度

400 Gbit/in2

技术优势

岛小密度高

磁性纳米岛的最小直径约35 nm，据此推算最高面密度可达约400 Gbit/in²，突破传统存储密度限制。

应变可切换

通过外延应变控制磁性，拉伸应变层表现出铁磁性，压缩应变层对磁场的响应小，从而可在非磁基体中按需定义磁岛。

工艺兼容硅

该制备方法可以在硅基底以及柔性衬底上实现可扩展的图案化存储器，有利于与现有半导体工艺集成。

应用场景

• 磁随机存储器：磁性纳米岛可作为存储单元，实现高密度非易失性存储。
• 自旋电子器件：提供可精确调控的磁性和自旋轨道耦合，用于自旋电子器件。
• 磁存储：在非磁基体中形成高密度磁岛，实现高容量磁存储。
• 量子计算硬件：纳米尺度磁岛有望用于量子比特的构建或操控。