OER过电位低至192 mV
通过Fe掺杂与氧空位协同调控电子构型，大幅降低OOH*结合能，突破单策略改性的活性瓶颈。
郑灵霞 · Zhao, Yijian · Xu, Penghui · Yujuan, Zhao · Lv, Zhuoqing · Ye, Weiqing · 时晓伟 · Wu, Qi · 郑华均
Chemical Engineering Journal 2023
Fe掺杂与氧空位协同将电子构型调至更活性的状态，并增强电子导电性，大幅降低OOH*结合能，从而在10 mA cm⁻²下仅需192 mV过电位。
在相同电流密度下，过电位比无Fe的CoOx-Vo低130 mV，Tafel斜率也小65.37 mV dec⁻¹，证明Fe掺杂的关键作用。
与仅有少量氧空位的CoOx-DFe相比，本工作过电位低122 mV，Tafel斜率小17.43 mV dec⁻¹，凸显氧空位工程的贡献。
远低于无Fe样品的107.9 mV dec⁻¹和少缺陷样品的59.96 mV dec⁻¹，表明反应动力学更快。