肖特基MIS级联阳极GaN横向场效应二极管

超低漏电

常关型MIS控制沟道与高势垒肖特基接触级联，有效抑制反向漏电。

Wang, Fangzhou · Changhong, Gao · Ding, Guojian · Cheng, Yu · 汪卓成 · Xiaohui, Wang · Feng, Qi · Yu, Ping · Zuo, Peng · 陈万军 · Wang, Yang · 贾海强 · Hong, Chen · 张波 · Wang, Zeheng

Science China Information Sciences 2025

参数信息

反向漏电流

3.6×10⁻⁹ A/mm

击穿电压

600 V

正向压降

2.2 V

技术优势

漏电被压到纳安级

常关型MIS沟道边缘阻挡高电场，配合高势垒肖特基接触，反向漏电降至3.6×10⁻⁹ A/mm。

击穿电压够高

器件击穿电压超过600 V，满足功率电路对耐压的基本要求。

应用场景

• 功率二极管：替代传统功率二极管，降低系统漏电损耗。
• 功率开关器件：用于开关电路，减小关断态漏电流。
• GaN功率器件：扩展GaN器件在低漏电需求场景的应用。
• 高频功率转换：低漏电特性有助于提升高频转换效率。
• HEMT基二极管：基于HEMT工艺，便于集成到GaN功率平台。