钴基非晶磁屏蔽筒

磁噪声 1.3 fT/Hz1/2

采用钴基非晶合金作为最内层屏蔽材料，可有效抑制μ-金属产生的高磁噪声，实现低噪声磁屏蔽。

Peipei, Shen · Zhang, Shuyan · Ma, Danyue · Xing, Bozheng · Hua, Chen · Mengshi, Zhang · Huanqi, Wei · 李博 · XinYu, Miao · Meng, Xie · Shuang, Li · Gao, Yanan · Yangzhi, Xue · Pengfei, Wang · 陆吉玺 · 韩邦成

IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 2025

参数信息

磁噪声

1.3 fT/Hz1/2

屏蔽系数

11.27

内径

240 mm

单层厚度

20 μm

技术优势

磁噪声大幅降低

十层钴基非晶磁屏蔽筒的最小磁噪声仅为1.3 fT/Hz1/2，远低于传统μ-金属的水平。

有效抑制μ-金属的磁噪声

钴基非晶合金具有高磁导率和优异的软磁性能，作为最内层屏蔽层能有效屏蔽μ-金属生成的磁噪声。

结构超薄

单层钴基非晶合金厚度仅20 μm，绕制成的屏蔽筒总厚很小，适合空间受限的场合。

成本较低

钴基非晶合金带材成本低于传统μ-金属，且绕制工艺简单，能降低磁屏蔽系统的总成本。

应用场景

• 超高灵敏磁场传感：降低屏蔽系统本底磁噪声，提升超高灵敏磁场传感器的探测极限。
• 生物磁测量：屏蔽外界干扰和μ-金属噪声，提高心磁、脑磁等生物磁信号测量的信噪比。
• 极弱磁场检测：提供低噪声磁屏蔽环境，使极弱磁场检测系统能够分辨更微弱的信号。