MgZnO/ZTO薄膜晶体管

高迁移率 偏压稳定

双沟道层结构结合高迁移率与优异的偏压稳定性，适用于高性能显示与柔性电子器件。

王朝 · Guo, Liang · Sun, Yu · Jin, Meihua · Xu, Xiwen

Nanomaterials 2025

具体参数

场效应迁移率

{'zh': '16.80', 'en': '16.80'} cm²·V⁻¹·s⁻¹

开关电流比

{'zh': '7.63 × 10⁸', 'en': '7.63 × 10⁸'}

阈值电压

{'zh': '-1.60', 'en': '-1.60'} V

亚阈值摆幅

{'zh': '0.74', 'en': '0.74'} V·dec⁻¹

正偏压应力下阈值电压漂移

{'zh': '+0.58', 'en': '+0.58'} V

负偏压应力下阈值电压漂移

{'zh': '-0.15', 'en': '-0.15'} V

技术优势

兼顾高迁移率与稳定

双沟道结构使ZTO层有效提升界面载流子输运，同时MgZnO层调控阈值电压并抑制偏压漂移。

偏压下阈值电压漂移小

在±10 V栅偏压应力1000 s后，阈值电压仅漂移+0.58 V和-0.15 V，器件可长时间稳定工作。

应用场景

• 高性能薄膜晶体管：直接用作高性能TFT沟道层，提升迁移率与开关比。
• 柔性电子器件：低温溅射工艺与良好稳定性适合柔性衬底上的TFT集成。