动态栅电容GaN HEMT

开关瞬态建模更准

提出一种考虑VDS和VGS双因素影响的动态栅电容模型，大幅提升GaN HEMT开关瞬态分析的精度，解决了传统静态电容模型因低估米勒效应而导致偏差的问题。

Jiahong, Du · 75397257 · Qiuyi, Tang · Bomin, Jiang · 董泽政 · 吴新科 · 杨树

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

技术优势

开关瞬态分析精度提升

与变VDS和VGS的CG测量结果验证一致