4M2R忆阻突触

兴奋抑制通用

首个无需额外神经信号调整即可在同一电路中进行Hebbian和反Hebbian训练的突触设计。

Yi-Fan, Liu · 王大伟 · Dong, Zhekang · Xie, Hao · 赵文生

IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 2024

技术优势

无需额外信号调整

通过合理布置电阻,同一4M2R电路即可实现兴奋或抑制,无需调整神经信号即可进行Hebbian与反Hebbian训练。

权重更新更准

4M2R突触具有高对称性、线性度和抗器件变异稳定性,能够显著改善权重更新精度。

抗弱信号干扰

设计神经元电路产生方波脉冲,消除信号复杂性导致的权重更新误差,可严格评估弱信号引起的权重变化。

应用场景