TaAs晶体

一种3D Weyl半金属单晶，其独特的各向异性空穴迁移率导致激光诱导的空穴相干性和显著的光学Kerr效应。

Yixuan, Huang · Zhao, Hui · 李治林 · Hu, Lili · Wu, Yanling · 孙飞 · Sheng, Meng · 赵继民

Advanced Materials 2023

具体参数

非线性磁化率 χ(3)（SI 单位）

{'zh': '1.4×10⁻¹⁶', 'en': '1.4×10⁻¹⁶'} m²V⁻²

技术优势

由空穴相干驱动

非线性响应来源于各向异性空穴迁移率，而非传统的电子迁移率，为利用空穴自由度提供了新途径。

延伸到 3D 体系

将空间自相位调制的研究从二维材料推广到三维外尔半金属，拓宽了材料选择范围。

应用场景

• 全光开关：利用其强非线性实现全光控制，无需电光转换。
• 非线性光学：提供研究三维材料中空穴相干性和 Kerr 效应的理想平台。
• 光子器件：可作为核心非线性元件用于高速光子器件。