铁电场效应记忆晶体管

多端操控存内逻辑

一种通过漏极和栅极双端电压调控的多功能铁电场效应晶体管，能在单一紧凑结构中实现多级非易失存储与可重构逻辑运算，为存内计算提供新器件方案。

Fei, Xiao · Dongxin, Tan · Liang, Tian · 罗拯东 · Yang, Qiyu · 甘雪涛 · Zhang, Dawei · Alexe, Marin · 储著飞 · Zhang, Junpeng · 雪飞 · Wenchao, Chen · 夏银水 · Liu, Yan · 74227950 · 韩根全

Advanced Functional Materials 2026

参数信息

模拟电导态位数

>7 bit

布尔逻辑输入数

2

技术优势

单管实现存内逻辑

通过漏极和栅极双端电压输入，在同一个晶体管中就能完成双输入布尔逻辑运算，无需额外电路。

电导态超过 7-bit

漏极电压控制的多畴结构使器件作为双端突触晶体管时，展现出超过 7-bit 的模拟电导态，适用于高精度神经形态计算。

多端操控多功能集成

栅极和漏极均可控制多级非易失电导切换，同一器件既能存储又能逻辑运算，还能模拟突触行为，满足多样化存内计算需求。

应用场景

• 存内计算：单管即可完成逻辑运算与存储，减少数据搬运。
• 神经形态芯片：高精度模拟电导态支持卷积神经网络部署。
• 非易失存储器：铁电极化保持提供非易失多级存储。