低电感焊接测试夹具

消除封装寄生效应

通过低寄生电感设计，该测试夹具解决了常规测试座无法准确评估碳化硅MOSFET在纳秒脉冲下真实性能的问题。

Kai, Zhu · Shi, Fukun · Haowen, Jia · Guo, Yuyi · Jinlin, Gong · 国晋菘 · 饶俊峰 · Zhuang, Jie

Measurement: Journal of the International Measurement Confederation 2026

参数信息

脉冲漏极电流偏差

>25 %

开关时间偏差

>45 %

技术优势

测量更准

低电感焊接结构消除了封装寄生效应，使关键参数如脉冲漏极电流和开关时间的测量值比使用测试座时准确得多。

揭示隐藏限制

该框架揭示寄生源极电感在阻性负载条件下的负反馈效应是性能的主要限制因素，而非通常认为的其他参数。

避免错误选型

通过揭示测试夹具和栅极驱动条件对性能排名的非线性影响，该框架能够降低器件选型风险，防止因测试方法不当而误判器件性能。

应用场景

• 功率半导体表征：用应用驱动框架替代标准测试，获得更真实的器件参数。
• 纳秒脉冲系统：提供纳秒脉冲下的准确器件特性，优化系统设计。
• 工业功率电子测试：用焊接夹具代替测试座，减少工业测试中的测量误差。
• 高功率脉冲应用：准确评估高功率脉冲下的器件性能，避免过应力失效。
• 功率半导体可靠性测试：揭示测试方法对参数的影响，避免可靠性误判。