响应快4倍
热脉冲工艺在Ga₂O₃薄膜内构筑垂直分层的晶体结构与氧空位分布，一步解决宽禁带材料响应速度与灵敏度难以兼得的矛盾。
Lili, Luo · Huang, Hong · Lu-lu, Yang · Rui, Hao · 李颖弢 · 赵晓龙 · 张泽民 · Long, Shingbing
Advanced Materials 2025
热脉冲处理形成的垂直分层氧空位分布同时提升响应度与响应速度，使衰减时间降至40 µs。
器件在保持快速响应的同时，最大响应度达到312.6 A/W，表明其具有高灵敏度。
热脉冲处理可与现有半导体工艺兼容，便于集成到探测器制造流程中。