ZnO:B/Sb₂Se₃异质结探测器

700 nm 处理论探测率极高

利用ZnO:B同时作为n型层和透明前电极，简化了器件结构并实现自供电宽光谱探测。

曹宇 · Jiaqi, Chen · Zhou, Jing · Wang, Sanlong · 于晓明 · 余璇 · 倪牮 · 张建军 · 李森 · 逄金波

Solar Energy 2025

具体参数

理论响应度

{'zh': '504.64', 'en': '504.64'} mA·W⁻¹

理论探测率

{'zh': '1.34 × 10²⁰', 'en': '1.34 × 10²⁰'} Jones

理论开关比

{'zh': '1.14 × 10¹⁷', 'en': '1.14 × 10¹⁷'}

光谱响应范围

{'zh': '400–900', 'en': '400–900'} nm

技术优势

结构简化

ZnO:B同时作为n型层和透明前电极，省去了额外的电极层。

理论探测率极高

在700 nm处，理论探测率达1.34 × 10²⁰ Jones，适合微弱光检测。

宽光谱响应

覆盖400–900 nm，从可见到近红外区域。

自供电

无需外加偏压即可工作，适合集成化应用。

应用场景

• 光电检测：宽光谱自供电探测，简化光谱仪或环境监测系统集成。
• 近红外探测：700 nm处超高探测率，适用于近红外弱光信号检测。
• 柔性光电器件：简化结构与低温工艺兼容，有机会用于柔性衬底。
• 自供电传感：异质结自供电，省去电池或外电源，适合分布式传感。