高密度位错PMN-PT晶体

3D可逆写入

以超快激光在PMN-PT单晶中写入~10^16 m^-2的高密度位错，空间分布多维可控，可三维反复擦写，突破了传统位错工程的控制维度限制。

张波 · Guisheng, Xu · Li Xiaobing · 刘小峰 · Wang, Zhuo · 邱建荣

Nature Communications 2025

具体参数

Dislocation density

{'zh': '', 'en': '16'} m

技术优势

三维可逆擦写

利用超快激光驱动能量沉积，位错可在三维空间重复写入和擦除，突破了传统机械方法无法实现的可逆性。

多维可控分布

位错空间分布在多维度上可调，为按需设计位错构型提供了可能性。

应用场景

• 声光调制器：利用位错调控弹性与光学性质，提升声光调制器件性能。
• 非线性光学：位错工程可改变局域对称性，增强非线性光学响应。
• 超快激光加工：提供超快激光直写位错的新工艺，拓展激光加工应用范围。
• 应变工程：以高密度位错引入可控应变场，实现精准应变工程。