AlN成核层上外延单晶GaN

表面粗糙度低至0.272 nm

采用等离子体增强原子层沉积技术制备AlN成核层，显著提高GaN外延层的晶体质量和表面平整度，工艺简单且成本低，可用于高性能电子器件。

芦浩 · 许晟瑞 · Yong, Huang · Chen, Xing · Shuang, Xu · Xu, Liu · Xinhao, Wang · 高源 · Zhang, Yachao · 段小玲 · 张进成 · 郝跃

Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials 2024

具体参数

沉积速率

{'zh': '0.1', 'en': ''} nm/cycle

外延层表面粗糙度均方根

{'zh': '0.272', 'en': ''} nm

厚度

{'zh': '20.8', 'en': ''} nm