表面粗糙度低至0.272 nm
采用等离子体增强原子层沉积技术制备AlN成核层，显著提高GaN外延层的晶体质量和表面平整度，工艺简单且成本低，可用于高性能电子器件。
芦浩 · 许晟瑞 · Yong, Huang · Chen, Xing · Shuang, Xu · Xu, Liu · Xinhao, Wang · 高源 · Zhang, Yachao · 段小玲 · 张进成 · 郝跃
Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials 2024