1120°C抗蠕变寿命大幅延长
通过提高Ta含量增加γʹ相体积分数并形成致密位错网络，显著降低最小蠕变速率，为设计更高承温能力的单晶高温合金提供指导。
Ge M.T. · Yongmei, Li · Wang, Xinguang · Chu, Zhaokuang · Yan, Tao · Tan, Zihao · 刘纪德 · 杨彦红 · 刘金来 · 张春华 · 张松 · Li, Jinguo · 周亦胄 · 孙晓峰
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 2024
Ta含量增加延长了蠕变断裂寿命，使合金在1120 °C/137 MPa下能承受更长时间载荷。
由于较低的合金元素有效扩散系数和更大的γʹ筏化厚度，6.5 wt% Ta合金具有更低的位错攀移速率，从而显著减小最小蠕变速率。
Ta升高增大了晶格错配度，促使形成更致密的位错网络，有效阻止超位错切割γʹ相，增强界面强化效果。