提升韧性与膜基结合
低温沉积金刚石中间层阻止钴扩散，既可作为高密度形核层，又保持后续高温沉积的高生长速率与纯度，从而兼顾低温与高温HFCVD的优势。
Qiao, Yu · Nie, Siyuan · Enzhi, Liu · 王新昶
Surface and Coatings Technology 2024
低温沉积的中间层抑制钴扩散，避免了高温下钴对金刚石膜与基体结合的破坏，从而提高了膜基结合强度。
低温层作为中间层同时起到高密度形核层作用，使后续高温生长的金刚石膜结构更均匀致密，从而提高刀具韧性。
由于结合强度和韧性的提升，LT-HT-HFCVD刀具在切削加工中表现出优异的切削性能，优于单一工艺制备的刀具。
不需要额外引入其他材料的中间层，直接利用低温沉积的金刚石本身作为阻钴层和形核层。