高比容量长循环
羟乙基纤维素插层扩大层间距并引入晶格缺陷，为锌离子提供快速扩散通道和额外活性位点。
Lu, Sheng · Yu, Gao · 安炜 · 王晗 · 吴东清
Small 2025
HEC的极性官能团与V₂O₅层间的静电作用将层间距从4.3 Å扩张到12.74 Å，为Zn²⁺提供快速扩散通道。
HEC插层切断V─O(2)─V桥键，引入高密度晶格缺陷，这些缺陷作为额外的氧化还原活性位点提升容量。
DFT计算表明Zn²⁺迁移势垒从0.74 eV降至0.14 eV，显著提升反应动力学。
在10 A·g⁻¹下循环2000次后，容量衰减率低至0.004%，显示出卓越的长循环稳定性。