有序异质界面MLCC

储能密度16 J cm⁻³

通过平行排列的Al₂O₃片构建有序异质界面,同时实现超高储能密度与优异的温度稳定性。

He, Xiafeng · Wang, Jian · Yuxiao, Du · Kun, Zhao · Shan, Dongliang · 刘运牙 · Xu, Chao · 岑侦勇 · Xiaoyi, Gao · Rui, Huang · 陈锡勇 · 沈忠慧 · Wang, Dawei · 郑立梅 · 张海波 · 李敬锋 · Zhang, Shujun · 罗能能

Advanced Materials 2026

具体参数

可回收储能密度
{'zh': '16.0', 'en': '16.0'} J cm⁻³
击穿强度
{'zh': '1140', 'en': '1140'} kV cm⁻¹
电容温度稳定性
{'zh': '3', 'en': '3'} %

技术优势

储能密度超高

有序异质界面有效抑制电荷注入和传输,在Al2O3改性0.6ST-0.4BNT基MLCC中实现了16.0 J cm⁻³的可回收储能密度,超过大多数先进介电陶瓷。

击穿强度巨大

平行排列的Al2O3片形成有序异质界面,大幅提高击穿强度至1140 kV cm⁻¹,使器件能在高电场下稳定储能。

热稳定性好

在20–160°C的宽温范围内,电容变化小于3%,适合在高温波动环境下工作的电子设备。

无铅环保

基于0.6SrTiO3-0.4Bi0.5Na0.5TiO3无铅陶瓷,符合环保要求,避免铅基材料的环境和健康风险。

应用场景