高电源抑制
内置闭环电荷泵偏置两级级联NMOS功率管,兼顾高电源抑制与抗电磁干扰能力。
Zhiwen, Niu · 来新泉 · Wang, Bingyuan
International Journal of Circuit Theory and Applications 2023
5–40 V 输入范围使芯片能直接适配车载电池电压变化,无需额外预稳压。
在 15 MHz 处 PSR 仍优于 −30 dB,有效抑制高频噪声,提升传感器信号完整性。
闭环电荷泵偏置的级联 NMOS 功率管提高了抗电磁干扰能力,满足汽车应用要求。