电场开带隙
通过B/N掺杂与外电场调控，在保持拓扑性质的同时打开锡烯带隙，使其有望用于半导体器件。
Yong-Jie, Lü · Yan, Chen · Fangcheng, Ye · Cai, L. · Zi-Jie, Dai · 任云鹏
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 2024
通过改变掺杂元素（B或N）和电场强度，可以在0到0.183 eV范围内调控K点带隙的大小，为器件设计提供灵活性。
打开带隙的同时锡烯的拓扑性质得以保留，意味着仍可能支持无耗散电流，有利于拓扑电子学应用。
掺杂和施加电场都是实验上易于实现的手段，不需要复杂的工艺即可实现带隙工程。