碳化硅超滤陶瓷膜

600 °C 低温烧结

在空气中600 °C烧结即可形成致密SiC超滤层，避免高温和惰性气氛，大幅降低制备成本。

Juan, Wang · Wang, Xiaoyu · Yongzhao, Yang · Qianlong, Fu · Feng, Hu · 张子健 · 李双

Journal of the European Ceramic Society 2025

具体参数

烧结温度

{'zh': '600', 'en': '600'} °C

技术优势

烧结温度骤降

膜在 600 °C 空气环境中即可烧结，而传统碳化硅膜通常需要 >2000 °C 高温和惰性气氛。

不含晶态氧化硅

低温氧化过程避免了晶态二氧化硅的出现，有利于保持膜的化学稳定性和渗透性。

节能工艺

该工艺无需长时间高温加热和惰性气体保护，显著降低生产能耗和设备复杂度。

选择层纯度高

选择层仅由 α-SiC 和 β-SiC 构成，没有引入其他杂相，确保了膜材料的本征性能。

应用场景

• 废水处理膜组件：替代高成本传统陶瓷膜组件，降低污水处理系统建造与运行成本。
• 油水分离膜：提供低成本、高通量的油水分离膜，适用于含油工业废水处理。
• 膜分离工艺：作为廉价超滤膜材料，推广到更多对成本敏感的膜分离工艺中。