28nm电荷俘获3D NAND

抗总剂量辐照

相较于同类NAND闪存，该器件在总电离剂量辐照下展现出更优的抗辐射能力，适用于高辐射环境中的存储应用。

Xuesong, Zheng · Yuhang, Wang · Mo, Rigen · 刘超铭 · 王天琦 · 霍明学 · 肖立伊

Electronics (Switzerland) 2025

技术优势

抗TID能力优于同类

与同类NAND闪存对比，该28nm电荷俘获3D NAND在总电离剂量辐照下表现出更高的辐射耐受性，可减少高辐射环境下的数据错误。

误码率有剂量依赖

原始误码率随辐照剂量变化，且受存储数据模式影响，为辐射环境下的数据保护策略提供依据。

操作时序受剂量影响

总电离剂量会改变擦除和编程操作所需时间，需要在辐射环境中使用时重新标定时序参数。

应用场景

• 宇航电子存储：抗TID能力优于同类，用于卫星存储可降低辐射导致的数据错误。
• 卫星通信载荷：总剂量效应影响操作时序，但抗性优于同类，适合通信载荷中的存储。
• 卫星数据存储：误码率与数据模式相关，可优化存储模式以提高抗辐射可靠性。
• 高超声速飞行器存储：高辐射环境下仍保持稳定，适用于高超声速飞行器的存储系统。