短栅高剪切
通过提取偏压相关电子速度，阐明短栅器件跨导和截止频率提升的物理起源。
Wang, Mingyan · Lv, Yuanjie · Zhou, Heng · Cui, Peng · Liu, Chao · 林兆军
IEEE Electron Device Letters 2023
在0.25 μm栅长HFET中，沟道电子密度3.5 × 10¹² cm⁻²处出现电子速度峰值
跨导提升源于短栅器件中电场增强导致电子速度增大以及极化库仑场散射增强导致的正Δve/ΔVgs增大