超薄SiC纳米线
拉伸调控负微分电阻
通过施加拉伸应变，可以在超薄碳化硅纳米线中可逆地调控电子输运，并实现多级负微分电阻效应，为纳米压电器件提供新的材料基础。
刘昆 · Li, Jie · Rukai, Liu · 李辉 · Okulov, A. V.
Journal of Materials Research and Technology 2023
参数信息
- 最强电流对应应变（单原子链）
- 0.7136
- 最强电流对应应变（较粗纳米线）
- 0.1584
- NDR出现应变（纳米线1）
- 0.5408
- NDR出现应变（纳米线2）
- 0.7136
- NDR出现应变（纳米线3）
- 0.8472
技术优势
应变能调出负微分电阻
在中等和后期拉伸阶段（如0.5408、0.7136、0.8472）出现NDR效应，且随直径增大出现多级特征，说明拉伸本身就是一种调控手段。
直径越粗NDR越多级
随直径增大，NDR效应在更多应变处出现并呈现多级特征，为设计多级开关或振荡电路提供可能。
应用场景
- 纳米压电器件：应变直接改变SiC纳米线的电流和NDR，可用于构建应变调控的压电功能单元。
- 纳米传感器：通过监测电流或NDR对应变的响应，可实现纳米尺度的应变或力学传感器。
- 低维电子器件：单原子链在应变下仍保持强导电性，证明可用作低维电子器件的活性通道。
- 柔性电子：SiC纳米线在拉伸下不破坏并产生NDR，适合集成到可拉伸或柔性电子线路中。