Yb/In共掺GeSb₄Te₇单晶

热电优值提升62%

通过Yb/In共掺杂协同调控能带与缺陷，实现热电性能大幅提升

Peng, Chen · Chun, Yan · Yanci, Yan · 吴宏 · 韩广 · Denghang, Li · Wei, Dong · Zhang, Bin · 卢旭 · 李登峰 · 周云 · 周小元 · 王国玉

Journal of Materiomics 2025

具体参数

峰值zT
{'zh': '0.81', 'en': '0.81'}
平均zT
{'zh': '0.55', 'en': '0.55'}

技术优势

峰值zT提升62%

Yb/In共掺杂使费米能级附近态密度畸变，塞贝克系数增强，同时Yb替代Ge引入点缺陷散射降低晶格热导率。

平均zT提升83%

在323–773 K宽温域内，Yb/In共掺杂样品实现了0.55的平均zT，大幅超越纯样，表明该材料具备全温区性能优势。

应用场景