暗态电位下降310 mV
通过S型异质结实现高效持久的光电化学阴极保护,在间歇光照72 h内保持稳定。
Yu, Wen · Liu, Yue · Yanghua, Teng · 雍奇文 · Dongmei, Pu · 樊小强 · 谢治辉
Journal of Materials Science and Technology 2025
由于S型异质结的形成,电子-空穴对分离效率高,暗态下也能提供310 mV的电位下降。
在间歇性可见光照射下,72小时内电位下降保持相对稳定。
N3BD的沉积增加了复合材料对可见光的吸收,从而提升光电化学性能。