超紧凑低插损
利用逆向设计的像素化亚波长结构，在保持高消光比的同时显著降低了插入损耗并缩小器件尺寸，为片上光互连提供了一种可批量制备的单元器件。
Yin, Kun · 高阳 · 朱世强
Nanomaterials 2023
像素化亚波长结构提供传统材料无法实现的定制折射率，增强了光场与GST的相互作用，从而将插入损耗降至0.45 dB。
在1550 nm处消光比达到18.0 dB，能有效区分开关状态，满足片上光互连对信号对比度的要求。
器件总尺寸仅0.9 μm × 1.5 μm，像素化结构增强了光场与GST的相互作用，从而缩小了器件尺寸和GST占位面积。
即使制造过程中存在微小变化，该器件仍能可靠工作，降低了批量生产的难度。