3C-SiC晶体

通过分子动力学揭示纳米抛光速度对材料去除机制的影响，为超精密加工提供原子级指导。

刘欢 · Pengyue, Zhao · Dongxu, Wu · 李铎 · Wang, Shunbo · Gao, Xifeng · Wang, Dawei · 伍歆 · Shujun, Huang · Jiubin, Tan

Journal of Manufacturing Processes 2024

参数信息

最佳纳米抛光速度

200–400 m/s

技术优势

速度选对，损伤更少

在较高纳米抛光速度下，亚表面损伤和相变程度降低，这意味着材料内部完整性更好。

优选速度范围明确

确定200 m/s至400 m/s为合适的纳米抛光速度范围，为实际加工提供直接参考。

应用场景

• 超精密加工：提供原子级去除机制理解，指导超精密加工参数选择。
• 航空航天材料：帮助航空航天部件获得高质量表面，减少亚表面损伤。
• 半导体材料：优化抛光速度以获得半导体级表面质量。