CVD碳化硅涂层

高压沉积减残余应力

通过提高沉积压力细化晶粒并改变择优取向,有效降低拉伸残余应力甚至局部转为压应力,解决SiC涂层在核燃料包壳应用中的开裂问题。

Zhennan, Xu · Xin, Huang · 陈招科 · Xie, Fengminyu · Xue, Jiaxiang · Rongkun, Yang · Yang, Zhengmao · 熊翔

Surface and Coatings Technology 2026

参数信息

沉积压力范围
1–8 kPa
择优取向
(220)

技术优势

压应力替代拉应力

8 kPa沉积压力下,残余拉应力局部转变为压应力,从而抑制涂层开裂。

晶粒细化

提高沉积压力增强形核密度并细化晶粒,提升涂层致密性。

择优取向转变

增加沉积压力使择优取向从(111)变为(220),可调控涂层微观结构。

应力集中于晶界

应力优先在晶界集中,而非晶粒内部,为应力调控提供机制认识。

应用场景