烧结提质不污染
一种可辅助激光烧结陶瓷、半导体和金属薄膜的氧化铟锡牺牲层，烧结后自动剥离且不污染基材，使陶瓷致密、金属抗氧化、半导体性能提升。
Chen, Xiangyu · 朱剑琴 · 陶智 · 邱璐
Small 2025
ITO 层吸收激光后使烧结温度升至 2950 K，让原本吸光度低的陶瓷颗粒充分粗化。
ITO 层充当氧屏障，烧结过程中将金属的氧化程度控制在 25% 以下。
ITO 层作为温度均化器延缓开裂，把半导体的塞贝克因子提升至 1.4 倍。
ITO 牺牲层在烧结后剥离，不会污染目标材料，对薄膜纯度无影响。