顶栅MoS₂场效应管

迁移率超200

用聚苯胺/纳米金刚石/PVDF顶栅介质替代传统背栅结构，将MoS₂晶体管的迁移率提升一个量级。

Irfan, Muhammad · Hina, Mustafa · Sattar, Abdul · Umar, Ahsan · Alvi, Farah · Usman, Arslan D. · Irfan, Siddique · Wenhui, Pang · Qin, Shengyong

Journal of Physics and Chemistry of Solids 2024

具体参数

线性迁移率

{'zh': '约212', 'en': '~212'} cm²/V·s

技术优势

开关电流比高达10⁷（10 V）

100 °C高温下稳定

10天未封装仍保持初始性能