新型二维电子材料
首次系统揭示单层AgI的缺陷物理，为二维I-VII半导体器件奠定基础。
Ming-Yu, Ma · 陈念科 · 王丹 · 韩冬 · Sun, Hong Bo · Zhang, Shengbai · 李贤斌
Materials Today Nano 2023
揭示单层AgI中本征缺陷和外来掺杂的原子结构、形成能与电离能，为后续器件探索奠定基础。
理论预测Ag空位和Be替代Ag分别是实现p型和n型导电的最佳候选，指导实验掺杂。
预测碘空位、Zn和Cd替代Ag缺陷呈现负U特性，可能在特定条件下导致特殊电荷态稳定性。