单晶碳化硅

抗原子氧侵蚀

经原子氧侵蚀后，其Si面材料能快速形成非晶氧化层保护内部晶体结构，维持更好的力学性能。

Hao, Ren · Qiu, Yisong · 叶宏飞 · Junjie, Zhang · Kunjun, Han · 郑勇刚

Journal of Physical Chemistry C 2025

技术优势

表面形成保护层

Si面在原子氧侵蚀下迅速形成非晶氧化层，能有效保护内部晶体结构不受进一步损伤。

力学性能全面优于C面

经原子氧侵蚀后，Si面材料的单轴拉伸、压缩和表面力学性能均优于C面材料。

表面恢复能力增强

非晶化过程提升了材料表面的恢复能力，有助于抵抗后续变形。

应用场景

• 航天器结构材料：用于航天器表面结构，抵抗低轨道原子氧侵蚀。
• 高超声速热防护：作为高超声速飞行器热防护材料，承受气动加热与氧化。
• 高温陶瓷防护：用于高温陶瓷部件，利用生成氧化层保护基体。