PEA2SnI4薄膜晶体管

迁移率提升逾十倍

引入Cy-F添加剂,显著提高PEA2SnI4 TFT的载流子迁移率和稳定性。

Su, Huimin · 张曙光 · Kangxin, Shen · 周骐 · Jintao, Xu · 黄家乐 · Yutian, Liu · Lan, Lingfeng · 彭俊彪

Small 2026

参数信息

迁移率
1.88 cm2V-1s-1
界面陷阱密度
1.8e12 cm-2eV-1
漏电流保持率
90 %
Cy-F掺杂量
12 vol%

技术优势

迁移率提升逾十倍

Cy-F与PEA+和Sn2+强相互作用,增强PEA+锚定,形成均匀、取向良好的薄膜,使迁移率从0.15提高到1.88 cm2V-1s-1。

缺陷密度降低

添加Cy-F后,界面陷阱密度从9.8×1012降至1.8×1012 cm-2eV-1,显著减小了扫描滞后。

偏压稳定性提升

掺杂器件在负偏压应力下2000秒后仍保持90%的初始漏电流,之后还有明显的电流恢复。

应用场景