粗析出相诱导蠕变退化
揭示了静态沉淀强化中析出相尺寸对蠕变机制的相反作用,为镁合金抗蠕变设计提供新依据。
杨强 · Lv, Shuhui · Bo, Deng · Hort, Norbert · Yuanding, Huang · 孙伟 · Qiu, Xin
Journal of Materials Science and Technology 2024
证明约10 nm的粗大析出相串远比<5 nm的细小析出相更能促进位错攀移,因此预时效虽强化但减少粗大相串数量,反使蠕变机制转向位错滑移并降低蠕变抗力。
单一强化效果不足以预测蠕变性能,必须同时考虑析出相尺寸分布及其对位错运动机制的影响,为抗蠕变镁合金设计提供新准则。