方向各异开关行为
揭示晶格各向异性如何决定二维Bi2O2Se忆阻器中离子迁移路径与电阻开关模式的原子尺度机制。
曲科 · Jianwei, Zhang · Jianchu, Chen · Haonan, Wang · Xin, Tianjiao · Chen, Ting · Chu, Yinghao · 刘攀 · 黄荣 · 成岩 · 杨振中 · Yang, Haibo · 段纯刚 · Peng, Gao
Nature Communications 2026
垂直电场下形成可逆有序导电D-Bi2O2Se相，产生突变阈值型开关；横向电场下通过拓扑相变生成延展异质结构，实现平滑线性电导调制，同一个Bi2O2Se就能覆盖阈值开关和模拟突触两种功能。
利用聚焦离子束制备定向器件，结合原位球差校正透射电镜，在施加偏压的同时实时成像结构演化，并辅以DFT计算，首次把各向异性迁移势垒与开关行为直接对应起来，而不是靠事后猜。
论文明确给出了晶格取向如何决定功能的微观原理：垂直场受层间静电锁定限制，横向场允许长程扩散。做器件的人可以直接按晶体取向去选工作模式，不用盲目试。