RuO2修饰NiSx/C3N4阵列

超低电位驱动

高价位Ru吸附OH⁻,避免与尿素在NiOOH位点的竞争吸附,降低中间体吸附能,提升尿素氧化动力学。

Liqi, Wang · Kexin, Sun · 杨矞琦 · Mingzhi, Hu · Zexin, Li · Chao, Wang · Junyi, Zhang · Ziheng, Tang · Yuxi, Chen · 韩强 · Qi, Zhang · 郎集会

Separation and Purification Technology 2025

具体参数

过电位(达到10 mA·cm⁻²)
{'zh': '1.27', 'en': '1.27'} V vs RHE

技术优势

超低电位驱动

10 mA·cm⁻²下仅需1.27 V vs RHE,低于原始阵列,能耗更低。

消除竞争吸附

高价位Ru作为OH⁻吸附中心,避免OH⁻与尿素在NiOOH位点竞争,降低中间体吸附能。

提升动力学

与原始阵列相比,过电位更低且EIS阻抗更小,表明动力学更优。

应用场景