Ge/InAs非互易热辐射器

小角度双偏振多通道

4.7°入射角下仅需0.8 T磁场，同时实现TE三通道与TM四通道非互易热辐射。

Xuantong, Shi · 王博

Journal of Materials Chemistry A 2025

参数信息

非互易通道数

3

非互易通道数

4

入射角

4.7 °

外加磁场

0.8 T

技术优势

小角度就能用

入射角仅4.7°，接近正入射，更容易集成到实际系统。

磁场要求低

只需0.8 T磁场，在常用磁体能力范围内，降低了实验门槛。

双偏振多通道

TE偏振3个通道、TM偏振4个通道，为多通道应用提供更多选择。

应用场景

• 热管理：利用非互易热辐射实现对热流方向的控制，提高热管理效率。
• 能量转换：多通道非互易辐射有助于提高热光伏等能量转换系统的性能。
• 非互易光子器件：为隔离器、环行器等非互易光子器件提供新的设计方案。