全碳化硅肖特基二极管

轻载效率提升2%

通过导通电阻匹配策略，在全SiC电压源变流器中实现最佳效率的续流二极管选择。

Yuzhi, Chen · Li, Chi · 刘剑慰 · Yifan, Wu · 刘自程 · 郑泽东

IEEE Transactions on Industry Applications 2025

参数信息

轻载效率提升

2 %

平均效率提升（对比体二极管续流）

0.4 %

推荐SBD与MOSFET导通电阻比

126 %

技术优势

轻载效率提升高达2%

通过选择导通电阻为MOSFET 126%的SBD，在轻载下效率提升最高达2%，且中等和重载性能不受影响。

全负载范围平均提升0.4%

与使用体二极管续流相比，推荐SBD在几乎整个负载范围内平均效率提升0.4%（±0.1%）。

选型准则可直接复用

以导通电阻为唯一设计变量给出的选型建议（126% MOSFET电阻），可直接用于同等级电压和电流规格的全SiC变流器设计。

应用场景

• 碳化硅功率模块：为全SiC功率模块选定续流二极管，降低开关损耗并提升轻载效率。
• 变流器效率优化：通过匹配续流二极管导通电阻，在不牺牲重载性能下提高变流器全工况效率。
• 功率器件筛选：按导通电阻占比快速筛选SBD，替代反复实验试错的选型流程。