氮掺杂石墨烯薄膜

低温生长低缺陷

冷凝辅助CVD法在400 °C低温下合成，缺陷密度极低且氮掺杂高效。

Zhichao, Guo · Zhenya, Ye · Mengqing, Yin · Shixun, Dai · Xiaohui, Zhang · 汪伟 · 刘兆平

Materials 2023

具体参数

总氮含量

3.2 at%

total N

67 %

载流子迁移率

727 cm2V

技术优势

ID/IG < 0.35