GaN太赫兹肖特基二极管

给出了器件在空间辐射环境下的性能退化机制,包括缺陷能级和诱生缺陷的确认。

任彦 · Yu, Yongtao · Shengze, Zhou · Chao, Pang · Lei, Zhifeng · 张鸿 · 冯志红 · Song, Xubo · Ni, Yiqiang

Micromachines 2025

具体参数

reveals trap states
~0.62 eV below

技术优势

450 MeV Kr离子辐照后,高频性能显著退化

SRIM计算和光致发光谱证实了辐照诱发缺陷的存在