SiC插层金刚石界面

热边界电导升47%

通过原子转变策略在Si/金刚石界面插入SiC过渡层，使理论热边界电导从477.1 MW/m²K提升至701.1 MW/m²K，约为现有扩散失配模型预测值的两倍，为解决三维集成芯片的界面散热瓶颈提供新思路。

Zhao, Xinlong · Qu, Yongfeng · Deng, Ningkang · Jin, Yuan · 胡文博 · 张朝阳 · Hongxing, Wang

Surfaces and Interfaces 2025

参数信息

TBC

477.1 MW/m²K

技术优势

为现有DMM模型预测值的两倍

SiC过渡层存在最佳厚度条件