抗热冲击
用原位生长的碳化硅纳米线多孔层提升硅涂层与C/SiC基体的结合强度和抗氧化性，减少热循环开裂。
Wang, Bo · Zhuang, Xin-Peng · Li, Gui · 王玉龙 · 李元齐 · Shi, Wei · 李佳艳
Naihuo Cailiao/Refractories 2024
引入 SiC 纳米线多孔层后，涂层与基体的结合强度高于直接喷涂的 Si 涂层。
SiC 纳米线释放热应力，阻止裂纹形成和扩展，热冲击后质量损失降低 20.7%–37.2%。
在 12 次室温至 1400 °C 热冲击后，带有 SiC 纳米线的涂层质量损失比纯 Si 涂层低 20.7%–37.2%。