InGaAs/InP雪崩光电二极管

暗电流降70%

通过优化保护环结构抑制边缘击穿，在不牺牲增益的前提下大幅降低暗电流并提升量子效率。

Zefang, Xu · Yu, Chang · Kai, Qiao · Liyu, Liu · Linmeng, Xu · Mengyan, Fang · Su, Chang · Yin, Fei · Jieying, Wang · Tianye, Liu · 李明 · Dian, Wang · 盛立志 · 王兴超

IEEE Journal of the Electron Devices Society 2025

具体参数

暗电流降低

70 %

量子效率提升

43 %

结构量子效率提升

90 %

Breakdown voltage increased

-4 V

技术优势

FGR结构暗电流降低一个数量级