650V p-GaN栅HEMT

浪涌能力随结温衰减

揭示了两种失效模式：上层互连金属损伤与栅金属电迁移，其中高浪涌能量器件更易发生栅损伤。

Chen, Kuangli · Rong, Peng · Shuting, Huang · Long, Wang · Jianggen, Zhu · Enchuan, Duan · 张波 · 周琦

Electronics (Switzerland) 2025

参数信息

浪涌电流能力

650 V

技术优势

失效机理清楚了

通过开盖和仿真确认，浪涌失效分两类：上层互连金属损伤（模式I）和栅金属电迁移（模式II）。

选器件有依据了

高浪涌能量的器件反而更易发生栅损伤，可靠性评估时必须关注这一点。

应用场景

• 功率变换器设计：可评估功率开关在浪涌下的可靠性。
• 汽车电子：可识别车载电源中器件失效风险。
• 器件可靠性分析：提供两种失效模式的判断依据。