垂直耦合等离子体传感器芯片

检测限低四个数量级

一种可在四英寸晶片上低成本、高均匀性制备的三维纳米天线结构，用于表面增强红外吸收，将单层分子的检测限降至nM级别。

Wu, Shaoxiong · Cheng, Chen · Xihang, Wu · Tian, Feng · Yungui, Ma · Yang, Xu · Hu, Huan

Sensors and Actuators, B: Chemical 2023

具体参数

检测限

{'zh': '10', 'en': '10'} nM

技术优势

增强因子：2.1 × 10³（单层十八烷硫醇）

检测限比平面金基底低四个数量级

制备方法：晶片级纳米球光刻+反应离子刻蚀+金属沉积，低成本高均匀性