运行至500°C
采用紧凑型空间对称双面嵌入式封装，让SiC MOSFET在500°C结温下仍能可靠工作，大幅拓宽功率模块的适用温度上限。
Zhu, Mengyu · Wang, Laili · Yang, Fengtao · 裴云庆 · Zaojun, Ma · Yi, Liu
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2026
采用高温封装材料体系，模块在25–500°C范围内保持电气功能，而传统设计在300°C以上就难以支撑。
基于该模块的无散热器功率变换器在508°C结温下成功运行，证明封装自身的热管理能力足够。
空间对称的封装和电热路径设计，加上匹配的热膨胀系数，降低了高温下的热机械应力。
紧凑平面互连、多层电磁抵消、去耦电容就近放置和开尔文源极连接共同降低了寄生电感和开关振荡。