氧化镓肖特基二极管

质子辐射下耐压提升

2×10¹³ cm⁻²质子辐射后击穿电压提升近350 V，但导通电流密度下降57%，适用于辐射环境下的高压器件。

Yue, Shaozhong · 郑雪峰 · Zhang, Fang · Hong, Yue Hua · Wang, Yingzhe · Zhu, Tian · Sunyan, Gong · Wang, Xiaohu · 吕玲 · 曹艳荣 · 张卫东 · Zhang, J. F. · 马晓华 · 74227950

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

具体参数

质子辐射后导通电流密度降低

{'zh': '57', 'en': ''} %

击穿电压提升

{'zh': '350', 'en': ''} V

浓度从

{'zh': '4.1×10¹³', 'en': ''} cm⁻³

技术优势

截止电流密度降低超过一个数量级