多应力耦合失效分析
针对1.2 kV SiC MOSFET在低温存储、功率循环和短路相互作用下的失效机理进行系统研究，为实际工况下的可靠性评估提供依据。
Pengkai, Wang · Yuan, Chen · Xinyu, Zhu · Hu, He · 李军辉
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024
同时施加低温存储、功率循环和短路三种应力，还原了实际应用中器件承受的复合载荷，而非单独测试单一因素。
发现低温存储这一看似温和的应力会显著缩短功率循环寿命和短路耐受时间，提醒设计者关注非工作状态下的长期存储影响。
结合直流特性测试、低频噪声测试和失效分析，从电学参数、噪声特征到物理结构逐层定位失效根源，而非仅停留在宏观性能变化。